Datasheet下载- 型号： MRF5S19090HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19090HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19090HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19090HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19090HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19090HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19090HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为 1.9 GHz 频段（典型工作频率：1805–1990 MHz）设计，典型输出功率达 90 W（连续波），适用于高效率、高线性度的射频功率放大场景。 其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站：广泛用于 2G/3G/4G（如 GSM、UMTS、LTE-FDD/TDD）宏基站和微基站的末级功率放大器（PA），尤其适配 1.9 GHz PCS 和 DCS 频段； - 无线基础设施设备：如远程射频单元（RRU）、分布式天线系统（DAS）及小型蜂窝（Small Cell）中的宽带功率放大模块； - 工业与广播应用：适用于ISM频段相关设备、无线麦克风中继、RF加热驱动等需稳定高功率输出的场合； - 测试与仪表：作为射频信号源或功率放大模块，用于通信设备产线校准、EMC测试及实验室射频激励源。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222A），具备优异热性能与可靠性，支持高增益（典型>17 dB）、高漏极效率（>60% @ 1.9 GHz），并内置ESD保护，便于在严苛环境（如高温、高湿度基站机柜）中长期运行。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用，常与NXP配套驱动芯片（如MMRF1022）协同构建完整PA方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19090HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 18W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 850mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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