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- 型号： MRF5S19060MR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19060MR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19060MR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19060MR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19060MR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19060MR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19060MR1 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE FDD Band 2/25）的基站功率放大器设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站：作为宏基站或中继站末级功放（PA），支持 1.85–1.99 GHz 频段，适用于 4G LTE 和 5G NSA 部署中的多载波信号放大； - 无线基础设施设备：用于分布式基站（BBU+RRU）、小型基站（Small Cell）及有源天线系统（AAS）中的高效率射频功放模块； - 工业与专用通信系统：如公共安全通信（TETRA/LTE-P）、专网宽带无线接入（WiMAX 已退网，但部分遗留系统仍用）等需高线性度与稳定性的场景。 该器件采用高可靠性陶瓷封装（MR1），支持连续波（CW）和高平均功率调制信号（如 OFDM、64-QAM），具备优异的热稳定性、高增益（典型17 dB @ 1.9 GHz）和高漏极效率（>60%），配合外部匹配网络可实现良好ACLR与EVM性能。需搭配专业射频PCB布局、高效散热设计（推荐强制风冷或液冷）及偏置电路（Class AB 工作模式）。不适用于消费类终端（如手机）或低功率手持设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5S19060MR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 12W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 750mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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