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型号： MRF5P20180HR6
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5P20180HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5P20180HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF5P20180HR6封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF5P20180HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5P20180HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF5P20180HR6 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为高功率、高频通信应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.0 GHz（如 PCS/DCS/IMT-2000 频段），输出功率达 180 W（连续波，CW），具备高增益（约 17 dB）和高漏极效率（典型值 >65%），适用于大功率基站发射链路。

主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝通信基站：广泛用于 2G/3G/4G 宏基站的末级功率放大器（PA），尤其适配 1.9 GHz 左右的 PCS 和 LTE FDD Band 2/25 等频段；  
✅ 无线基础设施设备：如分布式基站（BBU+RRU）、小型基站（Micro/Pico Cell）中的高线性度射频功放模块；  
✅ 广播与专用通信系统：支持符合 DOCSIS 3.1/4.0 的有线电视头端射频放大，以及公共安全通信（如 TETRA、P25）的高可靠性发射单元；  
✅ 工业与科研射频源：如医疗射频消融设备、等离子体发生器、EMC 测试用大功率信号源等需稳定高功率输出的场景。

该器件采用陶瓷封装（NI-780H），具备优异热管理能力，支持风冷或液冷散热，强调长期运行可靠性与抗驻波（VSWR）鲁棒性（可耐受 ≥10:1 负载失配）。需配合匹配网络与偏置电路使用，通常工作于 AB 类以兼顾效率与线性度。

注：已停产（NXP 官方于2022年发布停产通知），当前多用于存量设备维护或替代设计评估。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF5P20180HR6
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230
功率-输出	38W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	14dB
封装/外壳	NI-1230
晶体管类型	LDMOS
标准包装	150
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.6A
频率	1.93GHz
额定电流	10µA