Datasheet下载- 型号： MRF282ZR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF282ZR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF282ZR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF282ZR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF282ZR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF282ZR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF282ZR1是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高功率LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）器件，广泛应用于射频功率放大场景。该器件工作频率范围较宽，通常适用于VHF（甚高频）至UHF（特高频）频段，具备高增益、高效率和良好的热稳定性。 其主要应用场景包括：工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如感应加热、等离子发生和射频激励源；广播领域的AM/FM射频功率放大器，用于中波及调频发射机；以及在民用和专业通信系统中的高可靠性射频输出级，例如公共安全通信基站、业余无线电设备等。 MRF282ZR1采用可靠的陶瓷封装，具有出色的散热性能和长期工作稳定性，适合在高温、高负载环境下持续运行。此外，它常被用于需要高线性度与稳定输出功率的模拟调制系统中。由于其单载波设计（R1后缀表示卷带包装），便于自动化贴装，适用于大批量制造场景。 总之，MRF282ZR1是一款面向中等射频功率需求的可靠解决方案，特别适用于强调耐用性和连续运行能力的工业与通信类设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200Z |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF282ZR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-200Z |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11.5dB |
| 封装/外壳 | NI-200Z |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 75mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 1µA |
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