图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MRF21085LSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF21085LSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF21085LSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF21085LSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF21085LSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF21085LSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF21085LSR3 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为宽带、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.7 GHz，适用于 LTE、Wi-Fi（如 2.4 GHz/2.6 GHz）、5G Sub-6 GHz 基站（宏站与微基站）、小基站（Small Cell）及无线基础设施中的末级功率放大器（PA）。该器件采用高热效封装（如 SO-8 封装），具备良好的散热性能与可靠性，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如 OFDM、256-QAM）下的高效运行，典型输出功率达 85 W（P1dB），漏极效率约 55–60%。常见应用场景包括：4G/5G 移动通信基站的射频功放模块、宽带直放站（Repeater）、有源天线单元（AAU）、公共安全通信系统（如 TETRA、P25）、以及工业/科研用射频信号源或宽带激励器。因其高增益（典型值 >18 dB）和优异的互调抑制性能（IMD3 ≤ –35 dBc），亦适用于要求严苛的多载波（MC-CDMA、LTE-A）系统。注意：实际应用需配合匹配网络、偏置电路与热管理设计，并遵循 NXP 提供的参考设计（如 MRF21085LSR3 EVB）进行优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF21085LSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 19W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.6dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF21085LSR3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商