Datasheet下载- 型号： MRF21045LSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF21045LSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF21045LSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF21045LSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF21045LSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF21045LSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF21045LSR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 功率晶体管，专为高频、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 LTE、WCDMA、NR n1/n3/n7/n40 等主流蜂窝频段），输出功率可达 45 W（连续波）或更高（脉冲/OFDM信号下峰值功率优异）。 主要应用场景包括： ✅ 4G/5G 宏基站与小型基站（Small Cell）的末级功率放大器（PA）：凭借高增益（典型>18 dB）、高漏极效率（>60% @ 2.14 GHz）及良好线性度（满足ACLR/ACPR要求），适用于多载波、高阶调制（如256-QAM）场景； ✅ 无线基础设施中的宽带直放站（Repeater）和分布式天线系统（DAS）：支持宽温度范围（–40°C 至 +150°C）及高可靠性封装（SOT-1229，带金属散热底座），适合长期稳定运行； ✅ ISM 频段工业设备（如2.4 GHz RFID读写器、医疗射频设备、微波加热控制模块）中需要中等功率、高稳定性的射频源； ✅ 军用/航空通信系统（如战术电台、数据链终端）中对EMI耐受性、热稳定性和抗烧毁能力有严苛要求的场合（该器件具备内置ESD保护及卓越的VSWR耐受能力）。 注：实际应用需配合匹配网络、偏置电路及高效散热设计，并遵循NXP官方参考设计（如AN11150）进行PCB布局与热管理。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF21045LSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400S |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | NI-400S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 2.16GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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