【未分类_MRF21010LSR1】封装/厂家_MRF21010LSR1中文资料_价格

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型号： MRF21010LSR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF21010LSR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF21010LSR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF21010LSR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF21010LSR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF21010LSR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF21010LSR1 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为高频、高效率、宽带射频功率放大设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 LTE、WiMAX、5G Sub-6 GHz 等频段），额定输出功率达 10 W（连续波），具备高增益（约 17 dB）、高漏极效率（>60%）及良好热稳定性。

主要应用场景包括：  
✅ 4G/5G 小基站（Small Cell）和毫微微基站（Femtocell） 的末级功率放大器（PA），满足紧凑尺寸与能效要求；  
✅ 无线宽带接入设备（如 WiMAX 基站、CPE 终端）中的发射链路射频功放模块；  
✅ 工业、科学与医疗（ISM）频段设备（如 2.4 GHz 工业加热、RF 激励源）；  
✅ 航空通信与军用战术电台 中对可靠性、温度适应性（-40°C 至 +150°C）要求严苛的中功率射频发射单元；  
✅ 测试测量仪器（如信号发生器、RF 功率放大模块）中的宽带激励级或驱动级。

该器件采用表面贴装塑料封装（SO-8），集成ESD保护，支持简易 PCB 布局与散热设计，适用于高密度、低成本量产系统。需配合匹配网络与适当偏置电路（常采用 Class AB 或 Class A 模式）以实现最佳线性度与效率平衡。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF21010LSR1
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-360 短引线
功率-输出	11W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	13.5dB
封装/外壳	NI-360S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	100mA
频率	2.11GHz
额定电流	10µA