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产品简介:
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MRF21010LR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频(RF)LDMOS MOSFET 晶体管,专为 2.4–2.5 GHz 频段设计,典型工作频率覆盖 Wi-Fi 802.11b/g/n/ac(2.4 GHz ISM 波段)及部分物联网、短距无线通信应用。其额定输出功率达 10 W(连续波),具备高增益(典型值约 17 dB)、高效率(>60%)和优异的热稳定性,采用紧凑型无引线封装(如SOT-1227A),支持表面贴装与高效散热。 主要应用场景包括: ✅ 家用与企业级 Wi-Fi 6(802.11ax)接入点(AP)的末级功率放大器(PA); ✅ 工业/医疗/消费类 2.4 GHz 射频模块,如无线视频传输、遥控设备、智能家电通信单元; ✅ 物联网网关、Zigbee/Thread 兼容多协议网关中的高可靠性 RF 功放级; ✅ 小型基站(Small Cell)及分布式天线系统(DAS)中低功耗射频前端; ✅ 符合 FCC/ETSI 认证要求的商用无线设备,强调尺寸、能效与量产一致性。 该器件支持宽带匹配设计,内置ESD保护,简化外围电路;配合NXP推荐的驱动级(如MMA253xx系列)与匹配网络,可快速实现符合ACLR、EVM等关键指标的射频发射链路。不适用于毫米波或Sub-1 GHz(如LoRa、NB-IoT)场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF21010LR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360 |
| 功率-输出 | 11W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | NI-360 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |