Datasheet下载- 型号： MRF19090SR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19090SR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19090SR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF19090SR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF19090SR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19090SR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF19090SR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高功率、高效率的宽带射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站：广泛用于 4G LTE 和 5G 宏基站的末级功率放大器（PA），支持 860–960 MHz 频段（如 B5/B8/B20/B38 等），具备高增益（>17 dB）、高输出功率（连续波下可达 90 W，脉冲模式更高）和优异的热稳定性。 - 广播发射系统：适用于 FM 广播（87.5–108 MHz）及 UHF 电视发射机的中/高功率驱动级或末级放大。 - 工业与医疗射频源：如等离子体发生器、MRI 射频功放模块、RF 加热设备等需稳定大功率射频输出的场景。 - 军用与航空通信：满足 MIL-STD 可靠性要求，可用于战术电台、雷达激励器等宽温、高可靠性射频子系统。 该器件采用高热效 SO-8 封装（R3 版本含优化散热基板），集成ESD保护，支持高电压（VDD=32 V）、高效率（典型PAE >65%），并具备良好的线性度与互调抑制能力，便于实现DPD（数字预失真）线性化方案。 综上，MRF19090SR3 主要面向中高频段（~0.8–1 GHz）、数十瓦至近百瓦级连续波输出的商用与工业级射频功率放大需求，是基站与专业射频设备的关键核心器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF19090SR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 90W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 750mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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