Datasheet下载- 型号： MRF19045LSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19045LSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19045LSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF19045LSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF19045LSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19045LSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF19045LSR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 功率晶体管，专为高频、高效率、高可靠性射频功率放大设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（覆盖 L 波段至 S 波段），额定输出功率达 45 W（连续波，CW），具备高增益（典型值 >17 dB）、高漏极效率（>65% @ 2.14 GHz）及优异的热稳定性与坚固性（可承受 10:1 VSWR 不匹配条件）。 主要应用场景包括： ✅ 4G/5G 基站射频功放模块：广泛用于宏基站和小型基站（Small Cell）的末级功率放大器（PA），尤其适用于 TDD 模式下的 2.1 GHz 频段（如中国 Band n1/n41/n78）。 ✅ 无线通信基础设施：支持 LTE、WiMAX、WCDMA 等标准，用于远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）中的宽带功率放大。 ✅ 工业与民用射频系统：如 RFID 读写器、医疗射频设备（如理疗仪）、广播辅助发射及测试用固态射频源。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222B），集成输入/输出匹配网络，简化 PCB 设计；支持+28 V 单电源供电，具备良好的线性度与谐波抑制能力，便于满足 ACLR 和 EVM 等通信指标要求。 注：已停产（NRND），但仍在部分在产基站设备中使用，NXP 提供替代型号（如 MRF19045HSR3 或新一代 Airfast® 系列）用于新设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF19045LSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400S-240 |
| 功率-输出 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | NI-400S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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