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型号： MRF19030LSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19030LSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19030LSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF19030LSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF19030LSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19030LSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF19030LSR5 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 功率晶体管，专为高频、高效率、大功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 L/S 波段），输出功率达 30 W（连续波），具备高增益（约 17 dB）、高漏极效率（>65%）及优异的热稳定性和可靠性。

主要应用场景包括：  
✅ 无线通信基站：用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站或小型基站（Small Cell）的末级功率放大器（PA），尤其适用于 2.1 GHz 频段的发射链路；  
✅ 广播与无线传输设备：如数字电视（DTMB、DVB-T/T2）和 FM/TV 中继发射机中的射频功放模块；  
✅ 工业与科研射频源：如等离子体发生器、MRI 射频激励系统、RF 加热设备等需要稳定 CW 或脉冲大功率输出的场合；  
✅ 军用与航空电子：雷达发射模块、战术通信电台、电子对抗（ECM）系统中对宽温域（–40°C 至 +150°C）、高可靠性有严苛要求的射频功放环节。

该器件采用无铅、RoHS 合规的 TO-270WB-4 封装，内置ESD保护，支持匹配电路简化设计，并兼容主流射频PCB布局与散热方案（需配合金属底座及良好散热器）。其高线性度与低失真特性也支持宽带调制信号（如OFDM、WCDMA）高效放大，满足现代通信对ACLR与EVM的严苛指标要求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF19030LSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-400S
功率-输出	30W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	13dB
封装/外壳	NI-400S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	26V
电压-额定	65V
电流-测试	300mA
频率	1.96GHz
额定电流	1µA