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- 型号： MRF19030LSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19030LSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19030LSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF19030LSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF19030LSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19030LSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF19030LSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 2.4–2.5 GHz 频段设计，典型工作频率覆盖 Wi-Fi 6/6E（802.11ax）、无线宽带接入及工业/医疗 ISM 频段应用。其封装为无铅、RoHS 合规的 TO-270WB-4（带散热基板），支持高功率输出（连续波下典型输出功率达30 W，增益约17 dB，PAE > 60%），具备优异的热稳定性和可靠性。 主要应用场景包括： • Wi-Fi 6/6E 接入点（AP）与企业级路由器：作为末级功率放大器（PA），提升2.4 GHz频段的覆盖范围与吞吐量； • 小型基站（Small Cell）与中继器：适用于低功耗、高线性度要求的室内/热点覆盖系统； • ISM 频段设备：如无线视频传输、无人机图传、工业遥控、RFID读写器及医疗无线监测设备； • 测试与测量仪器：作为信号源或驱动级放大模块，满足宽动态范围与低失真需求。 该器件支持单端匹配设计，简化外围电路，配合NXP推荐的匹配网络可实现良好输入/输出驻波比（VSWR < 2:1）和强抗负载失配能力（10:1 VSWR 稳定工作），适合对尺寸、效率与鲁棒性均有要求的紧凑型射频功率系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF19030LSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400S |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | NI-400S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 1.96GHz |
| 额定电流 | 1µA |
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