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型号： MRF19030LR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19030LR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19030LR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF19030LR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF19030LR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19030LR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF19030LR5 是恩智浦（NXP Semiconductors）推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET晶体管，专为高功率、高频无线通信应用优化。其典型工作频率范围为1.8–2.2 GHz（支持LTE Band 1/3/25/38等），输出功率达30 W（连续波，CW），峰值功率更高，具备高增益（典型17 dB）、高效率（典型65%）和优异的热稳定性。

主要应用场景包括：  
✅ 4G/5G小型基站（Small Cell）与毫微微基站（Femtocell）：作为末级功率放大器（PA），满足紧凑尺寸与能效要求；  
✅ 宽带无线接入系统（如WiMAX、WLAN 5 GHz扩展频段）；  
✅ 公共安全通信设备（如TETRA、P25中继台）中的射频功放模块；  
✅ 工业、科研用射频信号源及EMC测试激励源；  
✅ 有源天线系统（AAS）与Massive MIMO阵列中的单通道高线性度PA单元。

该器件采用低热阻的SOT-1222封装（带金属散热底座），支持表面贴装，便于自动化生产与热管理。内置ESD保护与宽安全工作区（SOA），提升系统可靠性。需配合匹配网络、偏置电路及稳定供电设计使用，常搭配NXP的射频驱动器（如MMRF1022）构建完整PA链路。

注：实际应用中需严格遵循NXP官方数据手册（Rev. 3.0）的PCB布局、散热及驱动条件要求，以确保线性度、ACLR与长期可靠性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN NI-400
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF19030LR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-400
功率-输出	30W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	13dB
封装/外壳	NI-400
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	26V
电压-额定	65V
电流-测试	300mA
频率	1.96GHz
额定电流	1µA