【未分类_MRF18090AR3】封装/厂家_MRF18090AR3中文资料_价格

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型号： MRF18090AR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF18090AR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF18090AR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF18090AR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF18090AR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF18090AR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF18090AR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频功率 MOSFET，属晶体管—FET/MOSFET—射频类别。其典型应用场景集中于800–900 MHz 频段的高效率、高线性度射频功率放大。

主要应用包括：  
✅ 蜂窝通信基站：用于 GSM、CDMA、LTE-FDD 等 800/900 MHz 频段的末级功率放大器（PA），支持高输出功率（典型 Pout = 90 W 连续波，或 250 W 脉冲）与高增益（>17 dB）。  
✅ 无线基础设施设备：如直放站、微基站、分布式天线系统（DAS）中的射频功放模块，适用于中等功率、宽温度范围（–40°C 至 +150°C）工业环境。  
✅ 工业、科学与医疗（ISM）射频源：在 868–870 MHz 等免许可频段，用于 RFID 读写器、等离子体发生器、射频加热等需稳定大功率输出的场合。  

该器件采用高可靠性气腔陶瓷封装（SOT-1221A），具备优异的热管理能力与VSWR耐受性（可承受10:1负载失配），适合连续波及调制信号（如W-CDMA、OFDM）工作，兼顾效率（典型PAE >65%）与线性度。  

注意：非消费类器件，不适用于手机终端或低功耗IoT设备；需配合匹配网络、散热设计及驱动级电路使用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN NI-880
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF18090AR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-880
功率-输出	90W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	13.5dB
封装/外壳	NI-880
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	26V
电压-额定	65V
电流-测试	750mA
频率	1.81GHz
额定电流	10µA

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