【未分类_MRF18060ALR3】封装/厂家_MRF18060ALR3中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRF18060ALR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF18060ALR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF18060ALR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF18060ALR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF18060ALR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF18060ALR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF18060ALR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 600–960 MHz 频段设计，典型工作频率覆盖 UHF 电视广播、陆地移动通信（如公共安全电台、应急通信）、工业/科学/医疗（ISM）设备及宽带无线基础设施。其主要应用场景包括：  
- UHF 电视发射机末级功放：支持高效率（典型 65% @ 870 MHz）、高线性度输出，适用于数字电视（ATSC/DVB-T）发射系统；  
- 专业无线通信基站与中继台：在 400–900 MHz 公共安全频段（如 TETRA、P25）中提供可靠的大功率放大（连续波输出达 60 W，脉冲模式更高），具备优异的热稳定性和抗负载失配能力（VSWR ≥ 10:1 不损坏）；  
- RF 加热与等离子体发生器：在工业加热、半导体制造等需稳定射频能量源的场合，利用其宽频带匹配与高可靠性运行；  
- 测试测量与实验室用宽带激励源：作为信号发生器或功率放大模块的核心器件，满足研发与产线校准需求。  
该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1229A），集成ESD保护，支持高增益（典型 19 dB @ 870 MHz）和低热阻（0.5°C/W），适配高功率密度PCB布局，广泛应用于对效率、可靠性及长期稳定性要求严苛的商用与工业级射频功率系统。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF18060ALR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	60W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	13dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	26V
电压-额定	65V
电流-测试	500mA
频率	1.81GHz
额定电流	6µA