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  • 型号: MR0A16AVYS35R
  • 制造商: EVERSPIN TECHNOLOGIES
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MR0A16AVYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR0A16AVYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR0A16AVYS35R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MR0A16AVYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MR0A16AVYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Everspin Technologies 的 MR0A16AVYS35R 是一款 16Mb(2MB)的串行接口磁阻随机存取存储器(MRAM),采用SOIC-8封装,工作电压为3.3V,读写速度达35ns(高速异步模式),具备非易失性、无限读写次数、抗辐射及宽温工作能力(-40°C 至 +85°C)。

其典型应用场景包括:  
🔹 工业自动化控制——用作PLC、运动控制器中的程序/参数存储,在断电瞬间无需备用电池即可即时保存运行状态与配置数据;  
🔹 航空航天与国防电子——在高振动、强辐射、宽温环境中替代EEPROM或Flash,用于飞行控制系统、雷达缓存、黑匣子数据记录等关键任务;  
🔹 医疗设备——在MRI、CT等高可靠性要求设备中存储校准参数、实时日志,确保断电不丢数且无写延迟;  
🔹 汽车电子(符合AEC-Q100 Grade 2)——用于ADAS域控制器、车载网关的固件缓存与事件日志,支持快速启动与故障快照;  
🔹 网络通信设备——作为交换机/路由器的配置寄存器或小容量高速非易失缓存,替代FRAM或BBSRAM,简化电源设计(无需超级电容或电池备份)。

该器件凭借零写延迟、10¹⁵次读写耐久性及真正字节级改写能力,特别适用于需频繁、可靠、即时非易失存储的小容量关键数据场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP

产品分类

存储器

品牌

Everspin Technologies Inc

数据手册

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产品图片

产品型号

MR0A16AVYS35R

PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

44-TSOP2 (10.2x18.4)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

MRAM(磁阻 RAM)

存储容量

1M (64K x 16)

封装/外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

工作温度

-40°C ~ 105°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

3 V ~ 3.6 V

速度

35ns

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