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  • 型号: MPTE-010G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MPTE-010G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPTE-010G价格参考。ON SemiconductorMPTE-010G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPTE-010G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPTE-010G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MPTE-010G 是一款由 Littelfuse(力特)生产的 TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于单向(Uni-directional)表面贴装型器件,额定反向关断电压(Vrwm)为10V,击穿电压(Vbr)典型值约11.1V,峰值脉冲功率(PPPM)为400W(10/1000μs波形),适用于低压直流电路的静电放电(ESD)和瞬态过压防护。

其典型应用场景包括:  
- USB 2.0/3.0 接口保护:置于USB数据线(D+/D−)或电源线(VBUS)前端,吸收人体静电(±15kV接触放电)及热插拔引起的浪涌;  
- HDMI、DisplayPort 等音视频接口端口防护:保护接收端IC免受连接器插拔或EMI耦合引发的瞬态干扰;  
- 工业控制与通信模块的I/O端口:如RS-232/485收发器、CAN总线终端,抵御雷击感应浪涌(满足IEC 61000-4-2 Level 4及IEC 61000-4-4 EFT要求);  
- 便携式电子设备电源输入端:如机顶盒、智能电视、显示器的12V或5V供电入口,防止反接、开关噪声或电源适配器异常导致的过压冲击。  

该器件采用SOD-123封装,体积小、响应快(<1ns),钳位电压低(Vc ≈ 17V@Ipp=23.5A),可有效将瞬态能量泄放到地,保障后级MCU、SoC、LVDS接收器等敏感芯片安全。需配合合理PCB布局(短路径、低寄生电感)及接地设计以发挥最佳防护效果。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 10VWM 16.7VC DO201AD

产品分类

TVS - 二极管

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MPTE-010G

PCN设计/规格

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

Mosorb™

不同频率时的电容

-

供应商器件封装

轴向

功率-峰值脉冲

1500W (1.5kW)

包装

散装

单向通道

1

双向通道

-

安装类型

通孔

封装/外壳

DO-201AD,轴向

工作温度

-65°C ~ 175°C

应用

通用

标准包装

500

电压-击穿(最小值)

11.7V

电压-反向关态(典型值)

10V

电压-箝位(最大值)@Ipp

16.7V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

90A (8/20µs)

电源线路保护

类型

齐纳

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