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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPSH34_D75Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPSH34_D75Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPSH34_D75Z价格参考。Fairchild SemiconductorMPSH34_D75Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPSH34_D75Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPSH34_D75Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPSH34_D75Z 是一款高速NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23封装，具有低噪声、高fT（典型值达600 MHz）、快速开关特性及良好增益线性度。其典型应用场景包括： 1. 高频小信号放大：广泛用于VHF/UHF频段（如100–500 MHz）的射频前端，如无线通信模块（FM收音机、无绳电话、遥控器）、RF检波与缓冲放大电路。 2. 高速开关应用：适用于脉冲整形、数字逻辑电平转换、时钟驱动等需纳秒级开关速度的场合，常见于消费电子中的信号调理电路。 3. 低噪声前置放大：因其低基极-发射极噪声和高增益（hFE ≈ 50–150 @ IC=10 mA），常被用作传感器信号（如麦克风、光电二极管微弱电流）的第一级低噪声放大。 4. 振荡与混频电路：在简单LC振荡器或有源混频器中作为有源器件，支持便携式无线设备的本地振荡（LO）生成。 注：该器件不适用于大功率或高电压场景（VCEO = 25 V，PD ≈ 225 mW），设计时需注意散热与偏置稳定性。D75Z后缀通常表示特定编带包装及符合AEC-Q200（汽车级）或工业级可靠性标准的版本，亦可用于车载信息娱乐系统中的射频子模块。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS GP NPN 40V 50MA TO-92 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MPSH34_D75Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 2mA，7mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 20mA，2V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 500MHz |
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