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  • 型号: MPS3563
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MPS3563由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPS3563价格参考。ON SemiconductorMPS3563封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPS3563参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPS3563 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MPS3563 是安森美(ON Semiconductor)出品的NPN型射频双极结型晶体管(RF BJT),主要面向高频小信号放大应用。其典型特征包括:fₜ(特征频率)高达250 MHz,具备良好的增益带宽积与噪声性能,适用于VHF(30–300 MHz)频段。

典型应用场景包括:  
1. VHF射频前端放大:如业余无线电收发器、车载对讲机、短距离无线通信设备中的低噪声前置放大器(LNA);  
2. AM/FM接收机中频或射频放大级:因其较低的噪声系数(NF ≈ 4–5 dB @ 30 MHz)和稳定增益,适合中等频率模拟接收电路;  
3. 教育与实验开发板:因引脚兼容常见TO-92封装、参数适中、易于驱动,常用于高校电子工程课程中的高频放大电路实训;  
4. 低成本射频模块:如遥控器、无线传感器节点(WSN)的发射/接收链路中作为驱动级或缓冲放大器。

需注意:MPS3563为通用型RF BJT,非功率器件(最大集电极电流IC=100 mA,功耗PD≈625 mW),不适用于大功率发射或UHF以上高频(>500 MHz)场景。设计时应注重偏置稳定性、阻抗匹配及PCB布局以抑制寄生振荡。  

综上,MPS3563适用于中低功率、VHF频段的小信号射频放大场合,兼顾性能、成本与易用性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN RF SS 12V TO92

产品分类

RF 晶体管 (BJT)

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MPS3563

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

20 @ 8mA,10V

供应商器件封装

TO-92

其它名称

MPS3563OS

功率-最大值

350W

包装

散装

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

6.5dB @ 60MHz

增益

14dB @ 200MHz

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3 标准主体

晶体管类型

NPN

标准包装

5,000

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

50mA

频率-跃迁

1.5GHz

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