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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPLAD6.5KP12A
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD6.5KP12A由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD6.5KP12A价格参考。MICRO-SEMIMPLAD6.5KP12A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD6.5KP12A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD6.5KP12A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD6.5KP12A 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的一款大功率瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于单向TVS，标称击穿电压为12V，峰值脉冲功率达6500W（10/1000μs波形），典型钳位电压约19.9V（在峰值脉冲电流Ipp≈327A时）。 其主要应用场景包括： - 工业控制系统：用于保护PLC、DCS模块、I/O接口等免受雷击感应浪涌、开关噪声及静电放电（ESD）冲击； - 通信设备电源端口：如基站电源输入、以太网供电（PoE）前端、RS-485/RS-232接口的过压防护； - 电力电子系统：逆变器、UPS、变频驱动器中直流母线或控制电路的浪涌抑制； - 轨道交通与能源设施：牵引控制单元、智能电表、光伏汇流箱等严苛电磁环境中对高能量瞬态的防护； - 军用/航空电子备用电源接口：满足MIL-STD-461/DO-160等抗扰度标准中的浪涌测试要求（如Level 3–4）。 该器件采用轴向引线P600封装，具备低箝位比、快速响应（<1ns）、高可靠性及宽工作温度范围（–65°C 至 +175°C），特别适用于需承受多次高能浪涌且空间允许、散热条件良好的中高功率应用场合。注意：使用时需配合合理PCB布局（短而宽走线、就近接地）及必要前级限流措施（如保险丝或PTC），以确保可靠防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 19.9VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/129479-rf01083 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD6.5KP12A |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7524 |
| 功率-峰值脉冲 | 6500W （6.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 13.3V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 19.9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 327A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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