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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD30KP58AE3由White Electronic Designs设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD30KP58AE3价格参考。White Electronic DesignsMPLAD30KP58AE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPLAD30KP58AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPLAD30KP58AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD30KP58AE3 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的高能量瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于MPLAD系列大功率轴向引线TVS器件。其核心参数包括:反向关断电压VWM = 58V,击穿电压VBR ≈ 64.4–71.2V(典型),峰值脉冲功率高达30kW(10/1000μs波形),峰值脉冲电流IPP可达~380A。 该器件主要应用于需承受极端浪涌能量的工业与电力系统场景,例如: - 交流电源输入端口防护:在工业变频器、UPS、开关电源等设备中,抑制雷击感应浪涌(如IEC 61000-4-5 Level 4)及开关操作引起的高压尖峰; - 电机驱动与电力电子系统:保护IGBT/MOSFET驱动电路、整流桥及控制板免受感性负载关断产生的反电动势冲击; - 轨道交通与能源基础设施:用于牵引变流器、光伏逆变器直流侧或电网接口,应对恶劣电磁环境下的重复性高能瞬变; - 重型设备与户外通信电源:在无源防雷箱、基站电源入口级协同防护中,常与GDT或MOV配合构成多级保护链,发挥二级精细钳位作用。 其轴向封装(DO-214AB/SMC兼容引脚)便于散热与高可靠性焊接,适用于-65℃~+175℃宽温工作环境,满足MIL-STD-750/2020等高可靠性标准,广泛用于对失效安全性和长期稳定性要求严苛的工业级与军用级应用。