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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD30KP20CAE3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD30KP20CAE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD30KP20CAE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPLAD30KP20CAE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPLAD30KP20CAE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD30KP20CAE3 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的高能量TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于MPLAD系列,专为极端浪涌防护设计。其核心参数包括:反向 standoff 电压 20V(双向)、峰值脉冲功率达30kW(10/1000μs波形)、最大钳位电压约32.4V(在峰值脉冲电流下),并具备低箝位比与快速响应(<1ns)。 典型应用场景包括: - 工业自动化系统:用于PLC、变频器、电机驱动器等设备的直流电源输入端或I/O接口,抵御雷击感应浪涌及开关噪声; - 通信基础设施:保护基站电源模块、PoE供电端口、RS-485/CAN总线接口免受EFT(电快速瞬变)和雷击浪涌冲击; - 轨道交通与电力系统:在牵引控制单元、智能电表、继电保护装置中,提供符合IEC 61000-4-5 Level 4(4kV/2Ω)要求的强浪涌防护; - 军工与航空航天电子:因具备高可靠性、宽温工作范围(–55°C 至 +175°C)及符合MIL-STD-704/DO-160标准的抗扰能力,适用于严苛环境下的电源入口防护。 该器件采用轴向引线P600封装,散热性能优异,适合大功率瞬态吸收,常作为一级或二级协同防护方案中的关键元件,与GDT或压敏电阻配合使用以实现分级泄放。需注意PCB布局时应缩短走线、增大铜箔面积以降低寄生电感,确保防护效能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 20VWM 34VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9523-mplad30kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD30KP20CAE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7395 |
| 功率-峰值脉冲 | 30000W (30kW) |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 22.2V |
| 电压-反向关态(典型值) | 20V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 34V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 882A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |