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- 型号： MPLAD30KP17AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD30KP17AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD30KP17AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD30KP17AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD30KP17AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD30KP17AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD30KP17AE3 是 Vishay（威世）生产的 TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于大功率表面贴装型（DO-214AB/SMC 封装），专为高能量浪涌防护设计。其关键参数：反向关断电压 Vrwm = 17 V，击穿电压 Vbr ≈ 18.9–20.9 V，峰值脉冲功率 Pppm = 30 kW（10/1000 μs 波形），峰值脉冲电流 Ippm 高达 ~1200 A。 典型应用场景包括： 1. 工业自动化设备——保护 PLC 输入/输出端口、传感器接口及通信线路（如 RS-485、CAN 总线）免受雷击感应浪涌或开关噪声冲击； 2. 电源系统前端防护——用于 DC-DC 转换器输入端、电池管理系统（BMS）或车载充电模块中，抑制负载突变或反向电动势引发的高压尖峰； 3. 安防与监控设备——在 PoE（以太网供电）摄像机、NVR 等设备的供电与数据接口处，提供 IEC 61000-4-5 Level 4（4 kV/2 kA）等级的浪涌防护； 4. 新能源领域——光伏逆变器直流侧、储能系统电池端口，应对雷电或电网扰动导致的瞬态过压。 该器件具有低钳位电压（Vc ≈ 27.6 V @ Ippm）、快速响应（<1 ns）和高可靠性，适用于严苛电磁环境下的二级（或主级）过压保护。需配合保险丝/PTC 使用，并注意 PCB 布局以降低寄生电感，确保防护有效性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 17VWM 28.8VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9523-mplad30kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD30KP17AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7377 |
| 功率-峰值脉冲 | 30000W （30kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 18.9V |
| 电压-反向关态（典型值） | 17V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 28.8V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1041A （1.041kA） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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