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- 型号： MPLAD30KP16AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD30KP16AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD30KP16AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD30KP16AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD30KP16AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD30KP16AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD30KP16AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高能量瞬态电压抑制（TVS）二极管，属于大功率轴向引线型 TVS 器件（MPLAD 系列），专为极端浪涌防护设计。其关键参数包括：反向关断电压 VWM = 16V，击穿电压 VBR ≈ 17.8–20.8V，峰值脉冲功率高达 30kW（10/1000μs 波形），峰值脉冲电流 IPP 超过 1500A。 典型应用场景包括： - 工业自动化系统：保护 PLC 输入/输出端口、传感器接口及现场总线（如 Profibus、CAN 总线）免受雷击感应浪涌或开关电弧引起的高压瞬变； - 电源系统输入级防护：用于 AC-DC 或 DC-DC 电源模块的初级侧（如整流后、滤波前），抵御电网浪涌、负载突卸等引起的高压尖峰； - 通信基础设施：在基站电源、室外光模块供电接口或 RS-485 长线接口前端提供一级粗保护，配合后续低压 TVS 或 ESD 器件实现分级防护； - 轨道交通与能源设备：适用于牵引控制、风电变流器、光伏逆变器等存在强电磁干扰和重复性高能浪涌的严苛环境。 该器件采用轴向玻璃钝化结结构，具备优异的浪涌寿命、低钳位比（Vc/Vbr）和稳定的重复击穿特性，适合需承受多次 10/1000μs 类浪涌（如 IEC 61000-4-5 Level 4）的关键节点。注意：须配合合理 PCB 布局（短而宽走线、就近接地）、串联限流阻抗（如PTC或电阻），并避免单独用于静电（ESD）防护（因其响应速度约ns级，但钳位电压较高，宜与低压TVS协同使用）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 16VWM 27.2VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9523-mplad30kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD30KP16AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7369 |
| 功率-峰值脉冲 | 30000W （30kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 17.8V |
| 电压-反向关态（典型值） | 16V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 27.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1101A （1.101kA） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/ITCSN-0800-6"-BLACK-12-3 PC PKS.jpg)
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