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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPLAD30KP14A
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD30KP14A由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD30KP14A价格参考。MICRO-SEMIMPLAD30KP14A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD30KP14A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD30KP14A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD30KP14A 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高能量TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于MPLAD系列大功率表面贴装型器件。其核心参数为：反向关断电压VWM = 14 V，击穿电压VBR ≈ 15.6–17.2 V（典型值），峰值脉冲功率达30 kW（10/1000 μs波形），峰值脉冲电流IPP高达~1800 A，响应时间<1 ns。 该器件主要应用于需承受极端浪涌冲击的工业与电力电子系统中，典型场景包括： - 通信基站电源端口防护：保护基站DC供电输入（如-48 V系统）免受雷击感应浪涌或开关过压损坏； - 工业电机驱动与变频器：在IGBT驱动电路、直流母线或控制信号接口处，抑制换相引起的高压尖峰和EMI耦合瞬变； - 轨道交通与智能电网设备：用于轨道信号电源、SCADA系统接口、电能计量模块等，满足IEC 61000-4-5 Level 4（4 kV/2 Ω耦合）等严苛浪涌标准； - 新能源领域：光伏逆变器直流侧输入端、储能系统BMS电源接口，防止雷电或电网扰动引发的共模/差模过压。 其TO-218封装具备优异散热能力，适合高可靠性、高浪涌等级要求的固定安装场景。需配合PCB合理布局（短路径、低寄生电感）及前端限流措施（如PTC或保险丝）以发挥最佳保护效能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 14VWM 24VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9523-mplad30kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD30KP14A |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7352 |
| 功率-峰值脉冲 | 30000W （30kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 15.6V |
| 电压-反向关态（典型值） | 14V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 24V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1251A （1.251kA） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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