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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPLAD15KP9.0A
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD15KP9.0A由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD15KP9.0A价格参考。MICRO-SEMIMPLAD15KP9.0A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD15KP9.0A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD15KP9.0A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD15KP9.0A 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 15kW 表面贴装型 TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于大功率单向TVS阵列（采用DO-218AB封装）。其击穿电压典型值为9.0V，钳位电压约14.5V（在峰值脉冲电流下），适用于高能量瞬态浪涌防护。 主要应用场景包括： - 工业控制系统：保护PLC输入/输出端口、传感器接口、现场总线（如CAN、RS-485）免受雷击感应浪涌或开关噪声冲击； - 电源系统：用于DC-DC转换器输入端、电池管理系统（BMS）或48V车载/通信电源的过压防护； - 通信设备：在基站电源、光纤收发模块供电线路中抑制EFT（电快速瞬变）和雷击浪涌； - 电机驱动与变频器：吸收IGBT关断时产生的感性负载反向电动势及电网侧浪涌； - 医疗与仪器仪表：为高精度模拟前端（如ADC供电轨、信号调理电路）提供低钳位、高可靠ESD/浪涌防护。 该器件具备低箝位比、高浪涌耐受能力（IEC 61000-4-5 Level 4）、无铅兼容及AEC-Q200兼容选项（部分版本），适用于严苛电磁环境下的高可靠性设计。需注意其单向特性，仅适用于直流或正向偏置电路，不可用于交流信号线直接防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 9VWM 15.4VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9522-mplad15kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD15KP9.0A |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7328 |
| 功率-峰值脉冲 | 15000W （15kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 10V |
| 电压-反向关态（典型值） | 9V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 15.4V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 975A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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