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- 型号： MPLAD15KP10AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD15KP10AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD15KP10AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD15KP10AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD15KP10AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD15KP10AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD15KP10AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 15kW 表面贴装型 TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于大功率、高可靠性TVS器件。其击穿电压典型值为10V（VRWM=10V），峰值脉冲功率达15kW（10/1000μs波形），响应时间小于1ns，具备优异的浪涌防护能力。 主要应用场景包括： - 工业电源与电机驱动系统：用于保护PLC模块、变频器控制电路、继电器驱动IC等免受雷击感应浪涌或开关噪声引起的高压瞬变冲击； - 通信设备接口防护：如RS-485/422总线、CAN总线、以太网供电（PoE）前端，防止静电放电（ESD）、EFT（电快速瞬变）及雷击耦合浪涌损坏收发器； - 轨道交通与能源基础设施：适用于铁路信号系统、智能电表、光伏逆变器直流侧输入端，满足IEC 61000-4-2（±30kV接触放电）、IEC 61000-4-4（±4kV EFT）、IEC 61000-4-5（±4kV共模/±2kV差模浪涌）等严苛标准； - 高可靠性军工/航天衍生应用：凭借Microsemi在高可靠性器件领域的工艺优势（如符合MIL-STD-750/883筛选要求），可用于恶劣环境下的关键电子子系统瞬态保护。 该器件采用DO-218AB封装，具有低钳位电压、高浪涌电流承受能力（IPP约1000A）和长期稳定性，特别适合需应对重复性大能量瞬变的中高功率电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9522-mplad15kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD15KP10AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7161 |
| 功率-峰值脉冲 | 15000W （15kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 11.1V |
| 电压-反向关态（典型值） | 10V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 17V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 882A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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