【未分类_MPIC2112DW】封装/厂家_MPIC2112DW中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MPIC2112DW
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MPIC2112DW由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPIC2112DW价格参考。ON SemiconductorMPIC2112DW封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MPIC2112DW参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPIC2112DW 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MPIC2112DW 是一款由 Microchip（原收购自Micrel）推出的射频（RF）双通道N沟道增强型MOSFET，专为高频、高效率射频功率放大应用优化。其典型应用场景包括：

- 无线通信前端模块：广泛用于ISM频段（如2.4 GHz、5.8 GHz）的Wi-Fi、Zigbee、蓝牙Mesh及私有协议无线系统中，作为末级驱动或功率放大器（PA）开关/调制级。

- 射频开关与T/R切换：集成双路独立栅极控制，适用于收发（T/R）切换电路，常见于雷达传感器、智能电表、工业遥控及低功耗物联网（IoT）终端设备。

- 高线性度射频放大：具备低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.35 Ω @ Vgs=4.5V）、快速开关特性（tON/tOFF < 10 ns）和良好热稳定性，适合DC–1 GHz范围内的宽带窄脉宽射频信号放大与调制。

- 小型化射频电源管理：采用SOT-23-6微型封装，支持PCB空间受限的便携式设备，如无线音频发射器、RFID读写器、汽车无钥匙进入（RKE）模块等。

需注意：该器件非传统大功率LDMOS，不适用于蜂窝基站主功放；设计时应配合匹配网络与ESD保护，并确保栅极驱动电压（推荐2.7–5.5 V）及PCB布局满足射频抗干扰要求。

产品参数图文手册常见问题