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- 型号： MP6K12TCR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MP6K12TCR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MP6K12TCR价格参考。ROHM SemiconductorMP6K12TCR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MP6K12TCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MP6K12TCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MP6K12TCR 是一款由 Mitsubishi Electric（三菱电机）生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 SOP-8 封装），具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 1.2Ω @ Vgs=10V）、高开关速度及集成体二极管等特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC 电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），与高端驱动IC配合实现高效、紧凑的电源模块，适用于通信设备、工业控制板及嵌入式电源。 2. 电机驱动电路：适用于小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动中的半桥开关单元，支持PWM调速，常见于打印机、扫描仪、小型自动化设备等。 3. 负载开关与电源管理：作为可编程电源通断控制器件，用于多路供电系统的分时上电/节能关断，如 FPGA 或 MCU 系统的外设电源管理。 4. LED 驱动与背光控制：在中低电流 LED 恒流驱动或动态调光电路中用作开关元件，满足消费电子（如显示器、便携设备）对响应速度和效率的要求。 需注意：该器件最大漏源电压为60V，连续漏极电流约3A（Tc=25℃），设计时应充分考虑散热与驱动能力（推荐Vgs ≥ 4.5V以确保充分导通）。不适用于高压、大电流或高频谐振（如LLC）主功率路径。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH+N-CH 4V DUAL MPT6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MP6K12TCR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | MP6K12TCRDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A |
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