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- 型号： MOX-2-12-1006J
- 制造商： Ohmite
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MOX-2-12-1006J由Ohmite设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MOX-2-12-1006J价格参考。OhmiteMOX-2-12-1006J封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MOX-2-12-1006J参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOX-2-12-1006J 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MOX-2-12-1006J 是一款通孔式（THT）厚膜贴片/轴向引线型金属氧化物电阻器（注：MOX系列通常指Metal Oxide，但MOX-2-12为通孔封装，非SMD），标称阻值为100 MΩ（1006即100×10⁶ Ω），精度±5%（J档），额定功率约0.25 W（250 mW），耐压高（典型DC耐压≥500 V），具有优良的耐湿、耐高温及长期稳定性。 其主要应用场景包括： 1. 高压电路分压与采样：如开关电源、CRT显示器、X光设备中的高压检测回路，用于监测数百伏至千伏级电压； 2. 放电与泄放电阻：在大电容储能系统（如激光驱动器、脉冲电源、变频器直流母线）中，作为安全泄放电阻，确保断电后快速释放残余电荷； 3. 仪器仪表高阻抗输入保护：用于数字万用表、示波器探头补偿网络或高精度测量前端，提供高阻偏置或阻抗匹配； 4. 工业控制与安防系统：在烟雾探测器、绝缘监测装置（IMD）、漏电流检测电路中，构成高阻传感回路； 5. EMI滤波与RC缓冲网络：配合电容组成RC吸收电路，抑制IGBT/MOSFET开关尖峰，适用于小功率驱动场合。 需注意：该电阻不适用于高频射频路径（寄生电感/电容影响性能），且安装时应保持引脚间距充足，避免高压爬电。实际选型须结合工作电压、温度降额曲线及IEC/UL安规要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电阻器 |
| 描述 | RES 100M OHM 5W 5% AXIAL |
| 产品分类 | 通孔电阻器 |
| 品牌 | Ohmite |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MOX-2-12-1006J |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Maxi-Mox |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 其它名称 | MOX2J-100M |
| 功率(W) | 5W |
| 包装 | 散装 |
| 大小/尺寸 | 0.310" 直径 x 2.120" 长（7.87mm x 53.85mm） |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | 轴向 |
| 成分 | 厚膜 |
| 标准包装 | 50 |
| 温度系数 | ±25ppm/°C |
| 特性 | - |
| 电阻(Ω) | 100M |
| 端子数 | 2 |
| 高度 | - |
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