Datasheet下载- 型号： MMUN2113LT3
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2113LT3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2113LT3价格参考。ON SemiconductorMMUN2113LT3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2113LT3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2113LT3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2113LT3 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（R1=10kΩ，R2=10kΩ），采用SOT-23小尺寸封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如STM32、PIC、Arduino）IO口驱动LED、小型继电器或光耦输入端，无需外接偏置电阻，简化PCB设计并提升可靠性。 2. 开关控制电路：适用于低功耗、中低速开关应用，如电源使能（EN）信号控制、负载开关、风扇/蜂鸣器驱动等，典型饱和电流达100mA，响应速度快（tON/tOFF约数十纳秒）。 3. 传感器信号调理前端：在简易传感系统中用作有源开关或电平整形器件，例如与热敏电阻、光敏二极管配合实现阈值检测与信号输出。 4. 消费电子与便携设备：因体积小、集成度高、成本低，广泛用于手机周边、TWS耳机充电仓、智能穿戴设备中的状态指示与功能切换电路。 5. 替代传统分立偏置方案：可直接替换由普通BJT+2个外部电阻构成的开关电路，在空间受限或对BOM精简要求高的设计中显著提升生产良率与一致性。 注意：该器件不适用于线性放大或高频射频场景，最大VCEO为50V，建议工作在开关模式下，并注意功耗与散热限制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMUN2113LT3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MMUN2113LT3 相关产品
(SN).jpg)
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商