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- 型号： MMT10B260T3
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMT10B260T3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMT10B260T3价格参考。ON SemiconductorMMT10B260T3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMT10B260T3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMT10B260T3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMT10B260T3 是安森美（ON Semiconductor）推出的晶闸管型瞬态电压抑制器（TVS Thyristor），主要用于高能量、高可靠性过压保护。其典型应用场景包括： - 通信接口保护：如RS-485/RS-422总线、CAN总线、工业以太网端口，可抵御雷击感应浪涌（IEC 61000-4-5 Level 3/4，可达±1kV/500A 8/20μs）及EFT群脉冲干扰。 - 电源输入端口防护：适用于AC/DC适配器、PoE供电设备、智能电表等24–48V直流系统，提供低维持电流（IH ≤ 100mA）和快速导通（响应时间＜1μs），有效钳位浪涌电压至安全水平（VDRM = 260V，VBO ≈ 320V）。 - 工业控制与自动化设备：用于PLC模块、传感器接口、电机驱动器的信号/电源侧，防止因开关噪声、感性负载关断或电网扰动引发的瞬态过压损坏后级IC（如MCU、RS-485收发器）。 该器件采用TO-220AB封装，具备高浪涌电流能力（IPP = 100A，8/20μs），且为双向对称结构，无需区分极性，简化PCB设计；配合前端限流电阻或PTC，可实现自恢复式保护方案。适用于需长期稳定运行、EMC要求严苛的工业、能源及基础设施领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | THYRIST TSPD BIDIR 100A 200V SMB |
| 产品分类 | TVS - 晶闸管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMT10B260T3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 元件数 | 1 |
| 其它名称 | MMT10B260T3OS |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-导通 | 320V |
| 电压-断态 | 200V |
| 电压-通态 | 5V |
| 电容 | 200pF |
| 电流-保持(Ih) | 150mA |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 100A |
| 电流-峰值脉冲(8/20µs) | - |
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