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- 型号： MMT05A260T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMT05A260T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMT05A260T3G价格参考。ON SemiconductorMMT05A260T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMT05A260T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMT05A260T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMT05A260T3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的晶闸管型瞬态电压抑制器（TVS Thyristor），主要用于高能量、高可靠性过压保护。其典型应用场景包括： - 通信接口保护：如RS-485/RS-422总线、CAN总线、工业以太网端口，可承受IEC 61000-4-5规定的雷击浪涌（如1kV/500A组合波），钳位电压低（约26V），响应速度快（纳秒级触发），有效防止后端收发器芯片损坏。 - 电源输入端口防护：适用于直流供电系统（如24V工业电源、PoE受电设备），在遭遇感应浪涌或热插拔尖峰时，迅速转入低阻导通状态，将能量泄放到地，保护DC-DC转换器、MCU等敏感器件。 - 汽车电子系统：满足AEC-Q101认证，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块的LIN总线或传感器供电线路，抵御负载突降（Load Dump）和反向电池等严苛瞬变。 - 工业自动化设备：PLC I/O模块、电机驱动器信号端子等易受电磁干扰与开关浪涌影响的节点，提供比传统TVS二极管更高的浪涌耐受能力（IPP达50A，10/1000μs波形）。 该器件采用SOT-23封装，体积小、寄生电容低（<50pF），适合高频高速线路；具备双向保护特性，无需区分极性，简化设计。适用于需兼顾高鲁棒性、小尺寸与成本效益的中高端嵌入式系统防护场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | THYRIST TSPD BIDIR 50A 200V SMA |
| 产品分类 | TVS - 晶闸管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMT05A260T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 元件数 | 1 |
| 其它名称 | MMT05A260T3GOS |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-导通 | 320V |
| 电压-断态 | 200V |
| 电压-通态 | 3V |
| 电容 | 50pF |
| 电流-保持(Ih) | 150mA |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 50A |
| 电流-峰值脉冲(8/20µs) | 150A |
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