Datasheet下载- 型号： MMSZ6V8T3G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ6V8T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ6V8T3G价格参考。ON SemiconductorMMSZ6V8T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ6V8T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ6V8T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ6V8T3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为6.8 V（容差通常±5%），功率为500 mW，采用SOD-123封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或微控制器I/O端口提供稳定基准电压； 2. 过压保护（钳位）：与TVS或串联限流电阻配合，限制敏感器件（如MCU引脚、通信接口）的瞬态电压，防止ESD或浪涌损伤； 3. 电源轨箝位：用于LDO输出端或电池供电系统中，防止电压异常升高（如充电器反接、负载突变）； 4. 信号电平转换/限幅：在模拟前端或通信线路（如RS-232、CAN总线收发器）中限制信号摆幅，避免超出接收器输入范围； 5. 低成本反馈电路：在简易开关电源或线性稳压器中作为采样/反馈网络的分压基准点。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）及AEC-Q200认证（部分批次），适用于工业控制、汽车电子（如车身控制模块）、消费类电源适配器及物联网终端等对可靠性与成本敏感的场景。需注意：使用时应串联限流电阻以确保工作电流在5–20 mA推荐范围内，并留足功率裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ6V8T3G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 15 欧姆 |
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