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- 型号： MMSZ5258BT3
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5258BT3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5258BT3价格参考。ON SemiconductorMMSZ5258BT3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ5258BT3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ5258BT3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5258BT3 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为39 V（容差±5%），功率为500 mW，采用SOD-123封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与参考：为ADC、DAC或电源管理IC提供稳定、低噪声的39 V基准电压，适用于精度要求适中的模拟电路。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感电路前端，当瞬态电压超过39 V时导通分流，配合限流电阻钳位电压，防止后级器件损坏（如保护LDO、MCU或传感器供电轨）。 3. 浪涌/ESD箝位：在通信接口（如RS-485、CAN总线）或工业I/O端口处，作为初级箝位器件，吸收反向能量，提升系统抗干扰能力（需配合TVS或保险丝协同使用）。 4. 稳压偏置电路：为光电耦合器、运算放大器或晶体管提供固定偏置电压，确保工作点稳定。 5. 低成本电源反馈：在小功率线性稳压器或开关电源的辅助反馈回路中，替代高精度基准源以简化设计、降低成本。 注意：该器件为单齐纳结构，无内置温度补偿，长期稳定性与温漂（约−0.07%/°C）不如专用基准芯片，故不适用于高精度、宽温域场景；最大功耗限制要求合理设计串联限流电阻。典型应用需符合JEDEC标准，适用于消费电子、工业控制及汽车电子（AEC-Q200认证版本为MMSZ5258T3G）等中低可靠性要求场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 36V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ5258BT3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 27V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 36V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 70 欧姆 |
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