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  • 型号: MMSZ5256BT1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5256BT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5256BT1价格参考。ON SemiconductorMMSZ5256BT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ5256BT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5256BT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMSZ5256BT1 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为39 V(容差±5%),最大功率耗散为350 mW,典型测试电流为4.5 mA。其小型SOD-123封装适合高密度PCB布局。

主要应用场景包括:  
1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路、传感器供电或ADC参考源中提供稳定39 V基准;  
2. 过压保护(OVP):与TVS或串联限流电阻配合,用于保护后级IC免受瞬态高压冲击(如电源输入端钳位);  
3. 电源反馈环路:在小功率开关电源(如反激式适配器)的光耦反馈路径中,辅助设定输出电压;  
4. 电平箝位与信号整形:在工业控制或通信接口电路中,限制信号摆幅至安全范围(如将脉冲信号上限钳至39 V);  
5. 电池管理系统(BMS):用于多节串联锂电组的分压监测或均衡电路中的电压阈值检测。

注意事项:该器件非低动态阻抗类型,不适用于大电流稳压;实际使用需确保功耗不超过350 mW(建议降额至200 mW以上),并注意散热及温度系数(约0.08%/°C)。典型工作环境温度为–65°C 至 +150°C,适用于工业及汽车电子(AEC-Q200兼容版本需单独选型)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 30V 500MW SOD123

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MMSZ5256BT1

PCN设计/规格

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PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 23V

供应商器件封装

SOD-123

其它名称

MMSZ5256BT1OSCT

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

SOD-123

工作温度

-55°C ~ 150°C

标准包装

10

电压-齐纳(标称值)(Vz)

30V

阻抗(最大值)(Zzt)

49 欧姆

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