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- 型号： MMSZ5252BT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5252BT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5252BT3G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5252BT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ5252BT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ5252BT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5252BT3G 是安森美（onsemi）推出的表面贴装型齐纳二极管，标称稳压值为10 V（容差±5%），额定功率为350 mW，采用SOD-123封装。其典型应用场景包括： 1. 低功耗电压基准与稳压：适用于便携式设备（如蓝牙耳机、智能手环、传感器节点）中为ADC参考源、比较器阈值或MCU复位电路提供稳定10 V基准电压。 2. 过压保护与箝位：常与TVS或串联限流电阻配合，用于I/O端口或模拟信号线的瞬态电压抑制（如RS-485接口、电池监测电路），将异常电压箝位在10 V附近，防止后级器件损坏。 3. 简易稳压电源：在小电流（≤20 mA）、低成本场景下（如LED恒流偏置、运放偏置电源），可替代低压差稳压器（LDO），实现单级稳压。 4. 温度补偿电路：利用其负温度系数特性，与其他正温度系数元件（如硅二极管）搭配，用于精密基准源的温漂补偿。 该器件具有低泄漏电流（IR ≤ 0.1 µA @ 7.5 V）、良好长期稳定性及AEC-Q200认证（部分批次），亦可用于车规级辅助电路（如车身控制模块中的非安全相关传感供电）。需注意：不可用于大电流或高精度场合，设计时应校核功耗与散热，并预留足够裕量以防动态过载。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 24V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ5252BT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 18V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 155°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 24V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 33 欧姆 |
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