Datasheet下载- 型号： MMSZ51T1
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ51T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ51T1价格参考。ON SemiconductorMMSZ51T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ51T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ51T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ51T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为51 V（容差通常±5%），功率为500 mW，采用SOD-123封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗、中等精度的电源电路中，为模拟电路（如传感器接口、ADC参考源）或微控制器提供稳定的51 V基准电压。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或限流电阻配合，用于保护后级电路免受瞬态高压冲击，例如在工业控制输入端、通信接口（RS-485/232供电侧）中钳位异常电压。 3. 浪涌吸收与箝位：在继电器线圈、感性负载关断时产生的反向电动势抑制电路中，作为箝位元件，将尖峰电压限制在51 V以内，防止开关器件（如MOSFET、光耦）击穿。 4. 电源反馈环路：在隔离式DC-DC转换器（如反激拓扑）的次级侧，与光耦配合构成电压反馈网络，实现输出电压调节（适用于输出接近51 V的定制电源）。 5. 电池管理系统（BMS）：在高压电池组（如多节串联锂电或铅酸电池）的分压监测或均衡辅助电路中，用作高阈值电压检测参考点。 注意：因51 V属较高稳压值，不适用于低压数字电路；实际使用需确保功耗不超过额定值（需计算平均功耗并考虑散热），并建议留有足够裕量以应对温度漂移和容差叠加。典型工作电流范围为1–10 mA。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 51V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ51T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 35.7V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 180 欧姆 |
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