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MMSZ4V3T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4V3T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4V3T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ4V3T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 4.3V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ4V3T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ4V3T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4V3T1G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单齐纳二极管,属于稳压二极管类别。其主要应用场景包括: 1. 电压参考源:该器件提供稳定的4.3V齐纳电压,适用于模拟电路中的基准电压源,如运算放大器偏置、ADC/DAC参考电压等。 2. 过压保护:在电源管理电路中,用于限制输入电压,防止后级电路因电压过高而损坏,常见于电池供电设备或USB接口保护电路中。 3. 信号调节:在传感器信号处理电路中,用于钳位或限幅,确保信号幅度在安全范围内,避免损坏后续电路。 4. 低功耗电路设计:由于其封装小巧(SOD-123)、功耗较低,适合便携式电子产品,如智能手机、穿戴设备和物联网终端中的电压稳定与保护。 5. 嵌入式系统与工业控制:用于PLC模块、工业传感器及控制器中,提供稳定的电压参考或作为保护元件,提高系统可靠性。 总结来说,MMSZ4V3T1G因其高稳定性和小尺寸,广泛应用于需要精确电压控制和电路保护的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123稳压二极管 4.3V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ4V3T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ4V3T1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ4V3T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.3V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ4V3 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 90 欧姆 |
| 齐纳电压 | 4.3 V |
| 齐纳电流 | 50 uA |