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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4709T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4709T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ4709T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ4709T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ4709T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4709T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的单齐纳二极管,属于 MMSZ4700 系列。其典型应用场景包括电压稳压、过压保护和信号电平调整等。以下是该型号的具体应用场景: 1. 电压稳压 - MMSZ4709T1G 的齐纳击穿电压为 9.1V(±5%),适合用于低功耗电路中的电压稳压。例如,在电源电路中,它可以将输出电压稳定在 9.1V 左右,确保后级电路的正常工作。 - 常见应用:为传感器、运算放大器或基准电压源提供稳定的参考电压。 2. 过压保护 - 在电子设备中,齐纳二极管常用于防止输入电压过高而损坏敏感元件。MMSZ4709T1G 可以在电压超过 9.1V 时导通,将多余的能量通过地线释放,从而保护后续电路。 - 应用实例:USB 接口、音频输入端口或其他低电压接口的过压保护。 3. 信号电平调整 - 在信号处理电路中,齐纳二极管可用于限制信号幅度。例如,在模拟信号传输中,可以使用 MMSZ4709T1G 将信号峰值限制在 9.1V 以下,避免信号失真或损坏接收端器件。 - 应用场景:音频电路、数据通信线路中的信号钳位。 4. 基准电压源 - 齐纳二极管可以用作简单的基准电压源。MMSZ4709T1G 提供稳定的 9.1V 输出,适用于对精度要求不高的场合,如比较器电路、开关电路等。 - 应用实例:温度检测电路中的基准电压生成。 5. 浪涌抑制 - 在某些工业应用中,齐纳二极管可以用来吸收瞬态浪涌电压。例如,在继电器触点或电机驱动电路中,MMSZ4709T1G 能够有效抑制因感性负载产生的反向电动势。 总结 MMSZ4709T1G 的主要特点包括小尺寸(DO-214AC/AAB 封装)、高可靠性以及较低的功率损耗,非常适合便携式设备、消费类电子产品及工业控制领域。在设计电路时,需根据实际需求选择合适的偏置电流(通常为齐纳电流的 10%-50%),以确保齐纳二极管的工作性能达到最佳状态。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 24V 500MW SOD123稳压二极管 24V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ4709T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ4709T1G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10nA @ 18.2V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ4709T1GOSCT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 10 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 24V |
电压容差 | 3 % |
系列 | MMSZ4709 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | - |
齐纳电压 | 24 V |
齐纳电流 | 50 uA |