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MMSZ4708T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4708T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4708T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ4708T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 22V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ4708T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ4708T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4708T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,其典型应用场景如下: 1. 电压稳压 - MMSZ4708T1G 的齐纳击穿电压为 8V,适用于需要稳定电压的电路。例如,在电源电路中,它可以用于将输出电压限制在特定范围内,防止下游器件因过压而损坏。 - 应用场景:直流电源稳压、参考电压生成。 2. 过压保护 - 在信号线路或电源输入端,MMSZ4708T1G 可以用来吸收瞬时过电压,保护敏感电子元件免受损害。 - 应用场景:USB接口保护、传感器输入保护、通信线路保护。 3. 浪涌抑制 - 当电路可能受到外部浪涌干扰(如雷击或开关噪声)时,齐纳二极管可以快速响应并钳位过高电压。 - 应用场景:家电设备、工业控制设备中的浪涌保护。 4. 信号电平转换 - 在模拟或数字信号传输中,MMSZ4708T1G 可用于将信号电平限制在安全范围内,确保信号不会超出接收器的工作范围。 - 应用场景:音频信号处理、数据通信接口保护。 5. 温度补偿电路 - 齐纳二极管的击穿电压会随温度变化,MMSZ4708T1G 可与其他温度敏感元件配合使用,实现温度补偿功能。 - 应用场景:精密测量设备、环境监测系统。 6. 便携式设备中的低功耗应用 - 由于该器件具有较低的功耗特性,适合应用于电池供电的便携式设备中,提供稳定的电压参考或保护功能。 - 应用场景:手持设备、无线传感器节点。 总结 MMSZ4708T1G 主要用于需要电压稳压、过压保护和信号电平限制的场合。它的小型封装(如 DO-214AC/SOD-123FL)使其非常适合空间受限的设计,同时其高可靠性也使其成为消费电子、工业控制和汽车电子领域的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 22V 500MW SOD123稳压二极管 22V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ4708T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ4708T1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10nA @ 16.7V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ4708T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 10 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 22V |
| 电压容差 | 3 % |
| 系列 | MMSZ4708 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | - |
| 齐纳电压 | 22 V |
| 齐纳电流 | 50 uA |