Datasheet下载- 型号： MMSZ4689ET3
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4689ET3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4689ET3价格参考。ON SemiconductorMMSZ4689ET3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ4689ET3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ4689ET3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4689ET3 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装齐纳二极管，标称齐纳电压为1.8 V（典型值），容差±5%，功率额定值为350 mW（SOD-123封装）。其低电压、小体积、高稳定性和良好温度特性，使其适用于多种精密低压稳压与基准场景： 1. 低压电源稳压：在3.3 V或更低供电系统中，为MCU、传感器、RF模块等提供1.8 V局部稳压，替代LDO以简化设计、降低成本； 2. 电压基准源：作为ADC/DAC参考电压（需配合运放缓冲）、比较器阈值设定或精密偏置电路的基准点； 3. ESD保护与钳位：利用其低动态阻抗和快速响应，在I/O接口（如GPIO、通信线路）中实现1.8 V电平钳位，防止过压损伤； 4. 电池电压监测：配合分压网络用于锂亚硫酰氯（LiSOCl₂）或纽扣电池（如1.5–2.0 V）的欠压检测与告警； 5. 模拟电路偏置：为低功耗运算放大器、电流源等提供稳定偏置电压。 该器件工作结温范围宽（–65°C 至 +150°C），适合工业、汽车（AEC-Q200兼容版本可选）、医疗及便携式设备等对可靠性要求较高的应用。注意：实际使用时需确保功耗不超过额定值，并考虑温度系数（约−1.5 mV/°C）对精度的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ4689ET3 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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