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  • 型号: MMSTA64T146
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMSTA64T146由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSTA64T146价格参考。ROHM SemiconductorMMSTA64T146封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSTA64T146参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSTA64T146 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP DARL 30V 500MA SMT3两极晶体管 - BJT SMT PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor MMSTA64T146-

数据手册

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产品型号

MMSTA64T146

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

20000 @ 100mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SMT3

功率-最大值

-

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

10 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

125 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-346

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 达林顿

最大功率耗散

200 mW

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

300mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

10000

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

30 V

集电极—基极电压VCBO

30 V

集电极—射极饱和电压

1.5 V

集电极连续电流

500 mA

频率-跃迁

125MHz

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