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  • 型号: MMSTA55-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMSTA55-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSTA55-7-F价格参考。Diodes Inc.MMSTA55-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSTA55-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSTA55-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMSTA55-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款通用 NPN 小信号双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-323(SC-70)超小型表面贴装封装,具有低功耗、高增益(hFE 典型值 100–300 @ IC = 10 mA)、低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.25 V @ IC = 10 mA)和快速开关特性(fT ≈ 100 MHz)。

其典型应用场景包括:  
✅ 低压小电流开关电路:如微控制器 I/O 口驱动 LED、蜂鸣器、继电器线圈或小型逻辑电平转换;  
✅ 信号放大:用于便携式设备中的音频前置放大、传感器信号调理(如温度、光敏电阻微弱信号放大);  
✅ 电源管理辅助功能:在 DC-DC 转换器或 LDO 中作使能控制(EN)或反馈检测的有源开关;  
✅ 消费类电子与物联网终端:适用于蓝牙耳机、智能手环、遥控器、烟雾报警器等空间受限、强调成本与功耗平衡的电池供电设备;  
✅ 工业控制接口:PLC 输入/输出模块中作为光电耦合器后级驱动或数字信号缓冲隔离。

该器件额定集电极电流 IC = 150 mA(连续),VCEO = 60 V,工作结温范围 -55°C 至 +150°C,具备良好热稳定性与ESD防护(HBM ≥ 2 kV),符合AEC-Q200(车载应用兼容性测试)标准,亦可用于部分车规级非安全关键子系统(如信息娱乐外围电路)。

综上,MMSTA55-7-F 主要面向对尺寸、成本、可靠性要求较高的中低功率模拟/数字混合信号场景,是替代传统SOT-23 BJT的理想小型化选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP 60V SC70-3两极晶体管 - BJT -60V 200mW

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMSTA55-7-F-

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产品型号

MMSTA55-7-F

PCN其它

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 100mA,1V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

MMSTA55-FDIDKR

其它图纸

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

- 4 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

50 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

0.2 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

MMSTA55

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 60 V

集电极—基极电压VCBO

- 60 V

集电极—射极饱和电压

- 0.25 V

集电极连续电流

- 0.5 A

频率-跃迁

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