Datasheet下载- 型号： MMRF1304GNR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMRF1304GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMRF1304GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMMRF1304GNR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMRF1304GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMRF1304GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMRF1304GNR1 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）N沟道LDMOS功率MOSFET，专为高频、高效率、宽带射频功率放大设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站：适用于4G LTE及5G Sub-6 GHz宏基站和微基站的末级功率放大器（PA），支持2.5–3.8 GHz频段，具备高增益（>17 dB）、高效率（>50% PAE）和优异线性度； - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、有源天线单元（AAU）及小型蜂窝（Small Cell）中的多载波预失真（DPD）兼容功放模块； - 宽带射频发射系统：支持WCDMA、TD-LTE、NR等多标准，适用于需要高输出功率（典型Pout = 10 W连续波，峰值可达20 W）与宽瞬时带宽（≥100 MHz）的场景； - 工业与科研射频源：如医疗射频消融设备、等离子体发生器、EMC测试用射频激励源等中功率射频应用。 该器件采用紧凑型表面贴装封装（SO-8FL/PowerFLAT™），集成ESD保护与热增强结构，支持高可靠性连续工作，并通过NXP成熟的LDMOS工艺确保温度稳定性与长期耐用性。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF LDMOS 25W 50V TO270-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMRF1304GNR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270G-2 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 25.4dB |
| 封装/外壳 | TO-270BA |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 133V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 512MHz |
| 额定电流 | - |
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