Datasheet下载- 型号： MMRF1009HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMRF1009HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMRF1009HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMMRF1009HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMRF1009HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMRF1009HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMRF1009HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高功率、高频率通信系统设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于4G LTE及5G Sub-6 GHz宏基站和中继站的末级功放（PA），支持频段约1.8–2.7 GHz，具备高增益（>18 dB）、高效率（>60% PAE）和优异线性度，满足严苛的ACLR与EVM要求。 - 无线基础设施设备：适用于多载波宽带直放站、分布式天线系统（DAS）及小型基站（Small Cell）中的射频功率模块。 - 航空与国防通信：可用于战术电台、雷达激励级或电子对抗（EW）系统的固态射频发射链路，得益于其高可靠性、宽温度范围（−40°C 至 +150°C）及抗脉冲/ESD能力。 - 广播与专业无线系统：适配数字地面电视（DTTV）发射机、公共安全通信（如TETRA、P25）等需连续波（CW）或高PAR信号处理的场景。 该器件采用陶瓷封装（SOT-1223-2），集成源极金属化与优化热设计，支持高功率密度（典型输出功率达100 W CW / 200 W PEP），并兼容主流偏置与匹配电路方案，便于系统集成与量产部署。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH 500W 50V NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMRF1009HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 500W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 200mA |
| 频率 | 960MHz ~ 1.215GHz |
| 额定电流 | - |
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