【未分类_MMRF1005HSR5】封装/厂家_MMRF1005HSR5中文资料_价格

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型号： MMRF1005HSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMRF1005HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMRF1005HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMMRF1005HSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMRF1005HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMRF1005HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMRF1005HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）N沟道LDMOS功率MOSFET，专为高频率、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型工作频率范围为1.8–2.2 GHz（支持LTE Band 3/7/34/39及5G Sub-6 GHz频段），具备20 W连续波（CW）输出能力（典型值），并支持脉冲与调制信号（如OFDM、256-QAM）下的高效运行。

主要应用场景包括：  
✅ 5G基站前端模块（Active Antenna Unit, AAU）：作为Sub-6 GHz频段（如2.1 GHz）宏基站或微基站的末级功放（PA），满足高增益（>17 dB）、高效率（>55% PAE）和优异ACLR性能要求；  
✅ 宽带无线接入系统：用于WiMAX、WLAN 802.11ac/ax基站及点对多点（PMP）通信设备的射频发射链路；  
✅ 工业与专用通信设备：如公共安全集群通信（TETRA/LMR）、小型蜂窝（Small Cell）、直放站（Repeater）及有源天线系统中的中功率射频放大器；  
✅ 测试与仪表领域：作为射频信号发生器、功率放大器模块或EMC抗扰度测试系统的激励级或驱动级器件。

该器件采用SOT-1205封装（带金属焊盘散热），集成优化的输入/输出匹配结构，支持50 Ω系统直接集成，简化PCB布局；内置ESD保护与热稳定性设计，适用于严苛环境下的长期可靠运行。需配合NXP推荐的偏置电路与匹配网络以实现最佳线性度与效率平衡。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS RF N-CH 250W 50V NI-780S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMRF1005HSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	230W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	20dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	50V
电压-额定	120V
电流-测试	10mA
频率	1.3GHz
额定电流	-