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  • 型号: MMIX1X200N60B3
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMIX1X200N60B3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMIX1X200N60B3价格参考。IXYSMMIX1X200N60B3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMIX1X200N60B3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMIX1X200N60B3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMIX1X200N60B3 是 IXYS(现属 Littelfuse)推出的高性能高压IGBT模块,采用单管封装(非模块化多芯片结构),额定参数为600V/200A,内置第四代沟槽栅场终止(Trench Field-Stop)IGBT芯片及优化的续流二极管,具备低导通压降(Vce(sat) ≈ 1.8V @ 200A)、快速开关(典型tf < 150ns)、高短路耐受能力(10μs)及良好温度稳定性。

典型应用场景包括:  
• 工业变频驱动:用于中大功率(75–150kW级)通用变频器、伺服驱动器的主逆变桥臂,支持高频PWM(≤20kHz)与高效率运行;  
• 不间断电源(UPS):作为在线式UPS的逆变输出级核心开关器件,兼顾效率与动态响应;  
• 感应加热电源:适用于中频(1–50kHz)电磁加热设备的逆变桥,耐受高di/dt与重复过载;  
• 新能源领域:光伏并网逆变器(三相100kW+系统)和储能双向变换器(DC/AC侧)的主功率开关;  
• 电焊机与APF有源滤波器:需高电流密度与可靠硬开关性能的工业电源设备。

该器件推荐配合优化的驱动电路(如±15V栅极驱动、低寄生电感布局)及主动散热设计(强制风冷或液冷),适用于高可靠性、高功率密度要求的工业级应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

48ns/160ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

1000A

描述

IGBT 600V 223A 625W SMPD

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

315nC

IGBT类型

PT

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

MMIX1X200N60B3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

GenX3™, XPT™

SwitchingEnergy

2.85mJ (开), 2.9mJ (关)

TestCondition

360V, 100A, 1 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.7V @ 15V,100A

供应商器件封装

SMPD

功率-最大值

625W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

21-SMD 模块

标准包装

20

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

223A

输入类型

标准

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