Datasheet下载- 型号： MMIX1F180N25T
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMIX1F180N25T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMIX1F180N25T价格参考。IXYSMMIX1F180N25T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMIX1F180N25T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMIX1F180N25T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS（现属Littelfuse）的MMIX1F180N25T是一款高性能硅基N沟道增强型MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有25V耐压、180A连续漏极电流（Tc=25°C）、典型导通电阻Rds(on)仅≤1.8mΩ（Vgs=10V），并具备低栅极电荷与快速开关特性。 该器件主要面向高效率、高功率密度的中低压大电流应用场景，典型应用包括： ✅ 电动工具与无刷直流（BLDC）电机驱动——凭借极低Rds(on)和强电流能力，显著降低导通损耗，提升电池续航与散热性能； ✅ 服务器/通信电源中的同步整流与DC-DC转换器（如POL模块、VRM）——适用于12V/5V输入的高效降压电路，支持高频开关（可达数百kHz），减小磁性元件体积； ✅ 工业电源与UPS系统中的主开关或负载开关——高雪崩耐量与鲁棒的短路保护能力（配合外部驱动IC）保障系统可靠性； ✅ 电池管理系统（BMS）中的主动均衡或充放电主回路开关——支持大电流双向控制（需搭配反向二极管或H桥拓扑）。 其优化的体二极管反向恢复特性亦有利于减少开关损耗与EMI。设计时需注意PCB散热设计（推荐大面积铜箔+过孔散热）、驱动电压（推荐10–15V以确保充分增强）、以及并联使用时的布局对称性。不建议用于线性区放大或高频射频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 130A SMPD |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMIX1F180N25T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | GigaMOS™ TrenchT2™ HiperFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 345nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 60A， 10V |
| 供应商器件封装 | SMPD |
| 功率-最大值 | 570W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 21-SMD 模块 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tc） |
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