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- 型号： MMFZ3V9T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFZ3V9T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFZ3V9T1G价格参考。ON SemiconductorMMFZ3V9T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFZ3V9T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFZ3V9T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFZ3V9T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的单颗齐纳二极管，标称稳压值为3.9 V（容差±5%），额定功率为200 mW，采用SOD-123表面贴装封装。其典型应用场景包括： 1. 低压电源稳压与参考：在低功耗电路（如传感器接口、MCU供电轨）中，为3.3 V系统提供简易、低成本的电压基准或局部稳压，尤其适用于电流≤20 mA的场合。 2. 过压保护与ESD钳位：常与TVS或串联限流电阻配合，用于I/O端口（如UART、GPIO、ADC输入）的瞬态电压抑制，将异常电压钳位于约3.9 V，防止后级IC（如微控制器、运放）损坏。 3. 信号电平箝位与限幅：在模拟信号调理电路中，对交流耦合信号进行双向或单向限幅，确保信号幅度不超出ADC输入范围或逻辑电平容限。 4. 电池电压监测与指示：在锂离子/聚合物电池（标称3.7 V）或3.3 V系统中，辅助实现欠压检测或LED驱动阈值控制。 该器件具有低动态阻抗（典型值＜90 Ω）、快速响应及良好温度稳定性（TC ≈ −1.5 mV/°C），适合空间受限、成本敏感的便携式设备（如可穿戴设备、IoT节点、消费电子）。需注意：不可替代LDO用于大电流稳压；实际工作电流应严格控制在最大额定值内，并考虑功耗与温升。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFZ3V9T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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